PC28F512M29EWHE TR是美光科技推出的一款512Mb容量并行NOR闪存芯片。该器件采用64M x 8或32M x 16的灵活位宽配置，提供快速的100ns访问时间和编程周期，支持处理器高效执行代码。
其工作电压范围为2.7V至3.6V，并具备-40°C至85°C的宽工业温度范围，确保了在恶劣环境下的可靠性。采用64-LBGA表面贴装封装，适用于要求高密度、非易失性代码存储和高性能的嵌入式工业、网络及汽车电子应用。
- 型号:PC28F512M29EWHE TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-FBGA（11x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8，32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:100ns
- 访问时间:100 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-LBGA
- 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
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