NAND128W3A2BN6F TR是美光科技生产的一款128Mb（16M x 8）并行接口NAND闪存芯片，采用48-TSOP封装。该器件提供50ns的页写入和访问时间，工作电压为2.7V至3.6V，支持工业级温度范围（-40°C至85°C），确保了在宽温环境下的数据可靠性与存取性能。
其标准并行接口简化了与主控器的连接设计，适用于需要非易失性、中等密度数据存储的嵌入式系统。该芯片适用于对长期数据保存和稳定运行有要求的工业控制、网络设备及传统消费电子等应用领域。
- 型号:NAND128W3A2BN6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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