NAND128W3A0BN6E是美光科技生产的一款128Mb容量并行接口NAND闪存芯片，采用16M x 8位的组织结构。其核心优势在于提供了50ns的快速访问时间和页写入周期，能够满足对数据吞吐有基本要求的嵌入式应用。
该器件工作电压为2.7V至3.6V，支持工业级温度范围（-40°C至85°C），并采用表面贴装型的48-TSOP封装，易于集成。它为非易失性数据存储提供了一种经过验证的可靠解决方案。
- 型号:NAND128W3A0BN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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