NAND08GW3C2BN6E是美光科技生产的一款8Gb（1G x 8）容量并行接口NAND闪存芯片，采用48-TFSOP表面贴装封装。其核心特性包括25ns的快速页访问与写周期时间，以及2.7V至3.6V的宽工作电压范围，确保了在多种电源环境下的稳定数据操作。
该器件支持工业级温度范围（-40°C至85°C），具备非易失性存储能力，适用于对环境适应性和数据可靠性有要求的嵌入式系统。其并行接口架构提供了高效的数据吞吐路径，适合用于固件存储、数据记录或缓冲等应用场景。
- 型号:NAND08GW3C2BN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:25ns
- 访问时间:25 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
- 想获取NAND08GW3C2BN6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
