NAND02GW3B2DN6E是美光科技推出的一款2Gb（256M x 8）容量并行接口NAND闪存，采用48-TFSOP表面贴装封装。该器件基于NAND闪存技术，提供非易失性数据存储解决方案。
其核心特性包括25ns的快速访问与页写入时间，以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围，确保了高效的数据吞吐能力和良好的系统兼容性。该芯片支持工业级温度范围（-40°C至85°C），适用于要求高可靠性的嵌入式应用环境。
- 型号:NAND02GW3B2DN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:25ns
- 访问时间:25 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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