NAND01GW3B2BZA6E是美光科技生产的一款1Gb容量并行接口NAND闪存芯片。其核心卖点在于128M x 8位的存储组织方式，结合30ns的快速页写入与访问时间，能够为嵌入式系统提供高效的非易失性数据存储解决方案。
该器件工作电压为2.7V至3.6V，兼容广泛的3.3V系统，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在苛刻环境下的稳定运行。采用63-TFBGA封装，适合高密度表面贴装，满足空间受限的紧凑型设备设计需求。
- 型号:NAND01GW3B2BZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:30ns
- 访问时间:30 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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