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MICRON
MT8VDDT6464HY-335D1的图片

MT8VDDT6464HY-335D1

美光(MICRON)图标
存储卡,模块 > 存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
原厂封装:封装:
优势价格,MT8VDDT6464HY-335D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT8VDDT6464HY-335D1的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT8VDDT6464HY-335D1是美光科技生产的一款512MB容量DDR SDRAM内存模块,采用标准的200针SODIMM封装。该模块的数据传输速率达到333MT/s,能够为各类紧凑型计算平台提供高效的数据带宽支持。

其核心优势在于将DDR内存的高性能与SODIMM封装的小尺寸相结合,满足了空间受限的嵌入式系统和移动设备对内存扩展的需求。模块严格遵循行业规范,确保了与主流芯片组的良好兼容性和系统运行的稳定性,适用于对可靠性和长期供货有明确要求的工业与商业应用。

  • 型号:MT8VDDT6464HY-335D1
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:
  • 类目:存储卡,模块 > 存储器 - 模块
  • 描述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
  • 系列:-
  • 包装:盒
  • 产品状态:停产
  • 存储器类型:DDR SDRAM
  • 存储容量:512MB
  • 传输速率(Mb/s,MT/s,MHz):333
  • 封装/外壳:200-SODIMM
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