MT53E256M32D2DS-053 AUT:B TR是美光科技生产的一款8Gb容量、采用移动LPDDR4技术的SDRAM芯片。该器件采用256M x 32的组织结构，提供高达1.866GHz的时钟频率，能够实现高速数据访问，满足现代移动和嵌入式系统对内存带宽的苛刻需求。
其设计核心在于高性能与低功耗的融合，通过采用0.6V和1.1V的双电压供电以及宽达-40°C至125°C的工作温度范围，确保了在严苛环境下仍能保持高效、稳定的运行。该芯片采用200-WFBGA小型化封装，以卷带形式供货，专为空间紧凑、要求高可靠性的表面贴装应用而优化。
- 型号:MT53E256M32D2DS-053 AUT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-WFBGA（10x14.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:256M x 32
- 存储器接口:-
- 时钟频率:1.866 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-WFBGA
- 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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