MT53E256M32D2DS-046 AUT:B TR

MT53E256M32D2DS-046 AUT:B TR是一款由美光科技制造的8Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该器件采用256M x 32位的组织架构，运行时钟频率高达2.133GHz，能够为需要高带宽数据处理的移动和嵌入式应用提供卓越的性能。

其设计侧重于能效与可靠性，采用0.6V/1.1V双电压供电，并支持-40°C至125°C的扩展工作温度范围。产品采用200-WFBGA卷带包装，适用于表面贴装工艺，主要面向对空间、功耗和温度适应性有严格要求的车载电子、工业控制及高端消费电子等领域。

• 型号:MT53E256M32D2DS-046 AUT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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