MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR

MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR是美光科技生产的一款LPDDR4规格的DRAM芯片，采用WFBGA封装并以卷带（TR）形式供货。作为一款有源状态的存储器产品，它代表了美光在移动存储领域的技术成果，专为满足现代电子设备对高速、低功耗内存的需求而设计。

该芯片的核心价值在于其作为LPDDR4 DRAM所具备的标准特性：针对移动平台优化的低电压操作和节能技术。其封装形式确保了在紧凑空间内实现高密度集成，而卷带包装则适配于自动化表面贴装（SMT）生产线，有利于大规模、高效率的制造流程。这些参数共同指向其在空间和能效敏感型应用中的适用性。

• 型号:MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT 2.133GHZ WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
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