MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR是美光科技生产的一款8Gb容量Mobile LPDDR4 SDRAM，采用512M x 16的存储结构。该器件核心卖点在于其2.133GHz的高时钟频率，能够为系统提供极高的数据传输带宽，满足数据密集型应用的需求。
作为符合AEC-Q100标准的汽车级产品，它具备卓越的可靠性和宽温度范围（-30°C至85°C）适应能力，专为应对严苛的汽车及工业环境而设计。其采用200-WFBGA紧凑型封装，并以卷带形式提供，适合高效率的表面贴装生产，是高可靠性嵌入式系统与先进汽车电子应用的理想内存解决方案。
- 型号:MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-WFBGA（10x14.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:512M x 16
- 存储器接口:-
- 时钟频率:2.133 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-WFBGA
- 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
- 想获取MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
