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MICRON
MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR的图片

MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 24GBIT 1866MHZ FBGA
原厂封装:产品封装:-
优势价格,MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR是美光科技生产的一款24Gb容量、采用Mobile LPDDR4技术的易失性存储器(DRAM)。该芯片采用384M x 64的组织结构,核心卖点在于其1866MHz的高时钟频率,能够提供高速数据访问能力,满足现代移动和嵌入式应用对内存带宽的迫切需求。

其工作电压为1.1V,体现了优秀的低功耗特性,非常适合电池续航至关重要的便携式电子设备。同时,器件支持-30°C至85°C的宽工作温度范围,增强了其在各种环境条件下的适用性和可靠性。这款芯片以卷带形式提供,便于自动化生产,是高密度、高性能内存解决方案的关键组件。

  • 制造商产品型号:MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 24GBIT 1866MHZ FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:24Gb(384M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
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