MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR是美光科技生产的一款12Gb容量、采用移动LPDDR4技术的易失性存储器（DRAM）。该器件以384M x 32的存储结构组织数据，并在1600MHz的时钟频率下运行，可实现每引脚高达3200Mbps的数据传输速率，为系统提供高带宽的内存访问能力。

其核心优势在于低功耗与高性能的结合。工作电压仅为1.1V，并集成了LPDDR4标准的多种省电特性，显著降低了整体能耗。同时，其宽泛的工作温度范围（-30°C至85°C TC）和FBGA封装形式，使其能够稳定集成于对空间、功耗和可靠性均有严苛要求的移动及嵌入式平台中。

• 制造商产品型号：MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 12GBIT 1600MHZ FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：12Gb（384M x 32）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1600MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• 想获取MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料