MT49H8M36SJ-25E:B TR

MT49H8M36SJ-25E:B TR是美光科技生产的一款288Mb容量、采用并联接口的DRAM芯片。其核心配置为8M x 36位组织，在400MHz时钟频率下工作，能够提供高速的数据吞吐能力，访问时间低至15ns，确保了系统响应的及时性。

该器件采用1.7V至1.9V的低电压供电，有助于优化功耗表现，并采用144-TFBGA表面贴装封装，适用于高密度电路板设计。其工作温度范围为0°C至95°C（TC），满足工业级应用对环境适应性的要求。这款有源状态的易失性存储器，主要面向需要高带宽、快速数据存取和可靠并行接口的各类嵌入式及网络通信系统。

• 型号:MT49H8M36SJ-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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