MT49H32M9BM-33:B是美光科技生产的一款288Mb容量并行DRAM芯片。该器件采用32M x 9的组织结构，通过并联接口实现高速数据交换，其核心工作频率达到300MHz，并具备低至20ns的访问时间，能够有效满足对数据传输速率有较高要求的应用。
该芯片在1.7V至1.9V的低电压下工作，有助于实现系统级的低功耗设计。其采用144-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），确保了在紧凑空间和一定温度范围内的稳定性和可靠性。这些特性使其适用于需要高性能缓冲存储器的网络、通信及工业控制领域。
- 型号:MT49H32M9BM-33:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:32M x 9
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:300 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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