MT49H32M9BM-25:B 是美光科技推出的一款288Mb容量并行DRAM芯片，采用32M x 9位架构，集成了数据校验功能。该器件以400MHz时钟频率和20ns访问时间为核心性能指标，能够提供高速数据读写能力，满足对带宽敏感的应用需求。
其工作电压范围为1.7V至1.9V，支持0°C至95°C（TC）的工业级工作温度，并采用节省空间的144-TFBGA表面贴装封装。这些特性使其适用于要求高可靠性、中等存储容量及快速数据交换的嵌入式系统与网络通信设备。请注意，该产品目前已停产。
- 型号:MT49H32M9BM-25:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:32M x 9
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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