MT49H32M18CSJ-25E IT:B

MT49H32M18CSJ-25E IT:B是美光科技生产的一款576Mb容量、采用并联接口的DRAM芯片。其核心组织架构为32M x 18位，在400MHz时钟频率下运行，能够提供高速的数据带宽，访问时间低至15ns，有效提升了系统的数据处理效率。

该器件工作电压范围为1.7V至1.9V，支持低功耗运行，同时具备-40°C至85°C的宽工作温度范围，确保了在恶劣环境下的可靠性。它采用144-TFBGA表面贴装封装，适用于需要高密度集成的设计。这些参数共同构成了其适用于网络设备、工业控制及嵌入式系统等高要求场景的核心卖点。

• 型号:MT49H32M18CSJ-25E IT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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