MT49H16M36BM-25:A是一款由美光科技制造的576Mbit并行DRAM芯片。该器件采用16M x 36的存储结构，通过并联接口与系统连接，其核心工作时钟频率为400MHz，数据访问时间为20ns，能够在1.7V至1.9V的电压范围内工作，确保了较高的数据传输带宽与能效表现。
芯片采用144-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围覆盖0°C至95°C（TC），适用于对物理空间和运行环境有一定要求的嵌入式设计。其技术参数组合定位了其在需要快速、宽位数据交换的应用中的角色，是一款针对特定高性能存储需求而优化的易失性存储器解决方案。
- 型号:MT49H16M36BM-25:A
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:16M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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