MT49H16M18BM-33:B

MT49H16M18BM-33:B是美光科技生产的一款RLDRAM 2存储器芯片，提供288Mb（16M x 18）的存储容量。该器件核心卖点在于其3.3ns的极低访问延迟，专为满足高带宽、低延迟的数据处理需求而设计。

它采用1.7V至1.9V的工作电压，在144引脚BGA封装内实现了高性能与功耗控制的平衡。其并联接口和宽数据位宽（18位）架构，使其成为网络通信、高速缓存和数据密集型应用的理想选择，能够在0°C至95°C的温度范围内稳定工作。

• Micron美光半导体完整型号：MT49H16M18BM-33:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC RLDRAM 288MBIT 3.3NS UBGA
• 系列：-
• 格式 - 存储器：RAM
• 存储器类型：RLDRAM 2
• 存储容量：288M（16M x 18）
• 速度：3.3ns
• 接口：并联
• 电压 - 电源：1.7 V ~ 1.9 V
• 工作温度：0°C ~ 95°C
• 封装/外壳：144-TFBGA
• 供应商器件封装：144-BGA （18.5x11）
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