MT49H16M18BM-33 TR是美光科技生产的一款288Mb（16M x 18）容量并行接口DRAM芯片。该器件采用易失性存储技术，提供高达300MHz的时钟频率与20ns的访问时间，具备高速数据吞吐能力。其工作电压为1.7V至1.9V，有助于实现低功耗运行。
芯片采用144-TFBGA表面贴装封装，以卷带形式供货，适用于自动化生产。其宽温工作范围（0°C至95°C）确保了在苛刻环境下的可靠性。该产品主要面向需要中等容量、高带宽缓冲存储的工业控制、网络通信及嵌入式系统等应用场景。
- 型号:MT49H16M18BM-33 TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:16M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:300 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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