MT49H16M18BM-25:B是美光科技生产的一款288Mb RLDRAM 2存储器芯片,采用16M x 18的存储结构。该器件核心卖点在于其2.5ns的极低访问延迟和高速并联接口,专为要求高带宽与快速响应的应用而优化。
它工作在1.7V至1.9V电压范围内,采用144-BGA紧凑封装(18.5x11mm),支持0°C至95°C的工业级工作温度。这些参数共同确保了其在网络通信、高性能计算等场景中提供稳定、高效的低延迟数据存取解决方案。
- Micron美光半导体完整型号:MT49H16M18BM-25:B
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC RLDRAM 288MBIT 2.5NS 144UBGA
- 系列:-
- 格式 - 存储器:RAM
- 存储器类型:RLDRAM 2
- 存储容量:288M(16M x 18)
- 速度:2.5ns
- 接口:并联
- 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V
- 工作温度:0°C ~ 95°C
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA (18.5x11)
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