MT47H64M8JN-25E IT:G是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口，运行时钟频率为400MHz，可实现高达800MT/s的数据传输速率，其快速的15ns写周期时间和400ps访问时间保证了高效的数据处理能力。
芯片工作电压范围为1.7V至1.9V，符合低功耗设计标准，并支持-40°C至95°C的宽工作结温范围，适用于环境要求严苛的工业应用。产品采用60-TFBGA表面贴装封装，便于集成。作为一款成熟的DDR2解决方案，它为需要稳定、中等性能内存的嵌入式系统提供了可靠的存储支持。
- 型号:MT47H64M8JN-25E IT:G
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
- 想获取MT47H64M8JN-25E IT:G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
