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MICRON
MT47H64M16HR-25E L:G的图片

MT47H64M16HR-25E L:G

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
原厂封装:封装:84-FBGA(8x12.5)
优势价格,MT47H64M16HR-25E L:G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H64M16HR-25E L:G的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H64M16HR-25E L:G是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2同步动态随机存取存储器(SDRAM)。该器件采用64M x 16位的存储结构,通过16位并行接口提供高速数据访问,其核心时钟频率为400MHz,实现每秒800兆次的数据传输率。

该芯片工作电压为1.8V典型值(范围1.7V~1.9V),在降低功耗的同时,提供了400ps的快速访问时间和15ns的写周期时间,确保了高效的数据吞吐性能。其采用84-TFBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至85°C,适用于对存储带宽和可靠性有要求的各类嵌入式与通信系统。

  • 型号:MT47H64M16HR-25E L:G
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:64M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:84-TFBGA
  • 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 想获取MT47H64M16HR-25E L:G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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