MT47H64M16HR-187E:H TR是美光科技生产的一款1Gb（64M x 16）容量DDR2 SDRAM存储器芯片，采用84-TFBGA封装和卷带包装。该器件基于并联接口，在533MHz的时钟频率下运行，提供高速数据传输能力，其核心访问时间达到350ps，写周期时间为15ns。
该芯片工作电压为1.7V~1.9V，在降低系统功耗方面表现突出，其工作温度范围为0°C至85°C（TC），适用于广泛的商业级应用环境。作为一款表面贴装型易失性存储器，它提供了可靠的数据缓冲和存储解决方案，尤其适合对带宽、功耗和封装尺寸有综合要求的嵌入式系统设计。
- 型号:MT47H64M16HR-187E:H TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 84FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:350 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
- 想获取MT47H64M16HR-187E:H TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
