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MICRON
MT47H32M16HR-25E L:G TR的图片

MT47H32M16HR-25E L:G TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
原厂封装:封装:84-FBGA(8x12.5)
优势价格,MT47H32M16HR-25E L:G TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H32M16HR-25E L:G TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H32M16HR-25E L:G TR 是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片,采用32M x 16位的并行架构。该器件基于DDR2技术,在400MHz的时钟频率下可实现800MT/s的数据传输速率,主要优势在于其高速数据吞吐能力和优化的功耗表现。

其核心参数包括1.8V(1.7V~1.9V)的工作电压,400ps的访问时间,以及0°C至85°C的工作温度范围。芯片采用84-TFBGA表面贴装封装,集成了提升信号完整性的特性,适用于需要可靠、高速内存解决方案的嵌入式设计与网络通信设备。

  • 型号:MT47H32M16HR-25E L:G TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:32M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:84-TFBGA
  • 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 想获取MT47H32M16HR-25E L:G TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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