MT47H256M8EB-25E IT:C TR是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用256M x 8的存储结构。该器件以并联接口运行，核心时钟频率为400MHz，凭借DDR2技术实现高效的数据吞吐率，其快速的访问时间（400ps）和写周期时间（15ns）保障了系统响应的即时性。
该芯片工作电压范围为1.7V至1.9V，有助于实现低功耗设计，其宽工作温度范围（-40°C ~ 95°C）使其能够部署于环境要求苛刻的应用中。产品采用60-TFBGA表面贴装封装，并以卷带（TR）或剪切带（CT）形式提供，便于自动化生产装配。
- 型号:MT47H256M8EB-25E IT:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
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