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MICRON
MT47H256M4B7-5E:A TR的图片

MT47H256M4B7-5E:A TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
原厂封装:产品封装:92-VFBGA
优势价格,MT47H256M4B7-5E:A TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H256M4B7-5E:A TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H256M4B7-5E:A TR 是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM芯片,采用256M x 4的并行架构。该器件在200MHz时钟频率下运行,利用DDR2技术实现每引脚800Mb/s的有效数据传输速率,其600ps的访问时间和15ns的写周期时间保证了高速数据存取性能。

芯片采用1.7V至1.9V的低电压供电,有助于降低系统功耗,并通过92-VFBGA封装实现紧凑的表面贴装。其工作温度范围为0°C至85°C(TC),适用于对稳定性和空间有要求的商业级嵌入式应用,如网络通信设备和工业控制系统。

  • 制造商产品型号:MT47H256M4B7-5E:A TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:1Gb(256M x 4)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:200MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:600ps
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:92-VFBGA
  • 想获取MT47H256M4B7-5E:A TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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