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MICRON
MT47H128M8JN-3:H的图片

MT47H128M8JN-3:H

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
原厂封装:封装:60-FBGA(8x10)
优势价格,MT47H128M8JN-3:H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H128M8JN-3:H的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H128M8JN-3:H 是美光科技推出的一款1Gb容量DDR2 SDRAM芯片,采用128M x 8位组织架构。该器件基于并联接口,时钟频率为333MHz,凭借DDR技术可实现667MT/s的数据传输速率,为系统提供高带宽内存解决方案。

其核心参数包括1.7V至1.9V的工作电压范围、450ps的访问时间以及15ns的写周期时间,在性能与功耗间取得了良好平衡。芯片采用60-TFBGA封装,支持表面贴装,工作温度范围为0°C至85°C,适用于对可靠性和集成度有要求的商业及工业应用环境。

  • 型号:MT47H128M8JN-3:H
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA(8x10)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:450 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-TFBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(8x10)
  • 想获取MT47H128M8JN-3:H的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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