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MICRON
MT47H128M8CF-25E AIT:H TR的图片

MT47H128M8CF-25E AIT:H TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
原厂封装:封装:60-FBGA(8x10)
优势价格,MT47H128M8CF-25E AIT:H TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H128M8CF-25E AIT:H TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H128M8CF-25E AIT:H TR是一款由美光科技制造的1Gb容量DDR2 SDRAM芯片,采用128M x 8位的组织架构。该器件在400MHz的时钟频率下可实现高达800MT/s的数据传输速率,其核心优势在于提供了高带宽的并行数据接口与快速的数据访问能力,访问时间仅为400ps。

该芯片工作电压为1.8V(范围1.7V~1.9V),在功耗与性能之间取得了良好平衡。其设计坚固可靠,支持-40°C至95°C的宽工作温度范围,并采用60-TFBGA小型化封装,表面贴装形式,非常适合应用于对环境适应性和板卡空间有严格要求的工业、通信及嵌入式系统。

  • 型号:MT47H128M8CF-25E AIT:H TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA(8x10)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-TFBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(8x10)
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