MT47H128M4CB-5E:B TR是美光科技推出的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用128M x 4的存储单元组织架构。该器件在200MHz时钟频率下运行，利用DDR2技术的双倍数据速率特性，可实现400MT/s的有效数据传输速率，为系统提供较高的内存带宽。
其核心工作电压为1.8V（范围1.7V~1.9V），体现了DDR2代内存的低功耗优势。该芯片提供600ps的快速访问时间，并采用60-FBGA封装，适用于表面贴装工艺。其设计面向需要并联内存接口、商业级温度范围（0°C至85°C）的各类嵌入式及网络通信应用。
- 型号:MT47H128M4CB-5E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:128M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:600 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
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