MT46V64M8CY-5B IT:J是美光科技推出的一款512Mbit（64M x 8）DDR SDRAM芯片，采用并联接口与60-TFBGA封装。该器件基于DDR技术，在200MHz时钟频率下可实现高效的双沿数据传输，其700ps的访问时间与15ns的写周期时间保证了快速的数据读写能力。
芯片工作电压为2.5V至2.7V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，适用于环境要求严苛的应用。其核心特性在于提供了紧凑封装下的高带宽存储解决方案，主要服务于需要可靠易失性存储的嵌入式系统设计。
- 型号:MT46V64M8CY-5B IT:J
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
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