MT46V64M4FG-75E:G TR是美光科技推出的一款256Mb容量DDR SDRAM芯片，采用64M x 4的组织结构。该器件基于并联接口，时钟频率为133MHz，配合DDR技术可实现高效的数据传输。其关键时序参数，包括750ps的访问时间和15ns的写周期时间，保障了其在数据处理应用中的快速响应能力。
芯片采用2.3V至2.7V供电，工作温度范围为0°C至70°C，并以60-FBGA表面贴装封装形式提供，适用于标准卷带包装的自动化生产。这些特性使其成为对存储性能、功耗和空间布局有综合要求的嵌入式系统与通信设备的合适内存解决方案。
- 型号:MT46V64M4FG-75E:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:64M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:133 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:750 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x14）
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