MT46V64M4FG-6:G TR

MT46V64M4FG-6:G TR是一款由美光科技制造的256Mbit DDR SDRAM芯片，采用64M x 4的并行架构。该器件在167MHz的时钟频率下运行，利用DDR技术实现高效数据传输，其访问时间低至700ps，写周期时间为15ns，能够为系统提供快速的数据缓冲和交换能力。

芯片工作电压范围为2.3V至2.7V，采用60-FBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级应用环境。其并联接口和卷带/剪切带包装形式，便于集成到各类需要中等容量、高带宽存储解决方案的电子系统中。

• 制造商产品型号：MT46V64M4FG-6:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：256Mb（64M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.3V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-FBGA
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