MT46V32M8FG-6:G TR是美光科技生产的一款256Mb DDR SDRAM存储器芯片，采用32M x 8位的并行架构。该器件基于DDR技术，在167MHz的时钟频率下可实现高效的双倍数据速率传输，其700ps的访问时间和15ns的写周期时间保证了高速数据读写的可靠性。
芯片工作电压为2.3V至2.7V，采用60-FBGA表面贴装封装，适用于0°C至70°C的商业温度环境。其设计侧重于为嵌入式系统提供稳定的中等容量、高带宽内存解决方案，适用于对数据吞吐有明确要求的应用场合。
- 型号:MT46V32M8FG-6:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x14）
- 想获取MT46V32M8FG-6:G TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
