MT46V16M16CY-5B:M TR是美光科技生产的一款256Mbit DDR SDRAM芯片，采用16M x 16位组织架构和并联接口。该器件基于DDR技术，在200MHz时钟频率下可实现400MT/s的数据传输速率，其700ps的快速访问时间和15ns的写周期时间确保了高效的数据处理能力。
芯片工作电压为2.5V~2.7V，采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于常规商业环境。其16位数据总线宽度和易失性DRAM格式，使其适合作为嵌入式系统、工业控制及网络设备中的主内存或缓冲存储器，提供平衡的性能与容量解决方案。
- 型号:MT46V16M16CY-5B:M TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
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