MT46V16M16CY-5B AIT:M TR是美光科技生产的一款256Mb容量DDR SDRAM存储器，采用16M x 16位的组织架构。该芯片基于DDR技术，在200MHz的时钟频率下运行，实现高速并行数据传输，其访问时间仅为700ps，写周期时间为15ns，能够有效满足对数据吞吐速率有较高要求的应用。
器件采用2.3V至2.7V供电，支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，并采用60-TFBGA表面贴装封装，具备良好的环境适应性。其并联接口和易失性存储特性使其适用于需要快速数据缓冲和处理的嵌入式系统场景。
- 型号:MT46V16M16CY-5B AIT:M TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
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