MT45W8MW16BGX-856 AT 是一款由美光科技生产的128Mb(8M x 16)并行接口PSRAM(伪静态随机存取存储器)。该器件采用1.8V核心电压供电,提供85ns的快速访问时间和66MHz的工作频率,在易失性存储器中实现了高带宽与低功耗的良好平衡。
其核心卖点在于结合了DRAM的高密度与SRAM的接口简便性,无需外部刷新电路即可工作。器件采用54-VFBGA紧凑封装,支持-40°C至105°C的宽工作温度范围,适用于空间受限且环境要求严苛的嵌入式系统。这些特性使其成为对成本、功耗和可靠性有综合要求的工业与汽车应用的合适内存解决方案。
- 型号:MT45W8MW16BGX-856 AT
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:54-VFBGA(8x10)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PSRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:PSRAM
- 技术:PSRAM(伪 SRAM)
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字,页:85ns
- 访问时间:85 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:54-VFBGA
- 供应商器件封装:54-VFBGA(8x10)
- 想获取MT45W8MW16BGX-856 AT的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料