MT45W4MW16BBB-706 WT TR是美光科技推出的一款64Mb容量并行接口PSRAM芯片。该器件采用4M x 16位的组织架构，提供70ns的快速访问时间，并在1.7V至1.95V的低电压范围内工作，旨在实现性能与功耗的平衡。
其核心价值在于通过伪SRAM技术，集成了内部刷新控制器，对外呈现静态存储器（SRAM）般的简单接口，无需外部刷新逻辑，显著降低了系统设计的复杂性。54-VFBGA的紧凑封装使其非常适合于空间受限的便携式及嵌入式应用场景。
- 型号:MT45W4MW16BBB-706 WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:54-VFBGA（6x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:PSRAM
- 技术:PSRAM（伪 SRAM）
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:54-VFBGA
- 供应商器件封装:54-VFBGA（6x9）
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