MT45W1MW16BDGB-701 WT TR 是美光科技生产的一款16Mb（1M x 16）并行接口伪静态随机存储器。该器件采用PSRAM技术，内部集成刷新控制器，对外提供类似SRAM的简易接口，无需外部管理刷新时序，简化了系统设计。
其核心参数表现出色，访问时间和写周期时间均为70ns，具备高速数据吞吐能力。工作电压范围为1.7V至1.95V，支持低功耗应用，工作温度范围为-30°C至85°C，满足工业级环境要求。器件采用54-VFBGA小型化封装，适用于对空间和功耗敏感的表面贴装设计。
- 型号:MT45W1MW16BDGB-701 WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:54-VFBGA（6x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:PSRAM
- 技术:PSRAM（伪 SRAM）
- 存储容量:16Mb
- 存储器组织:1M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:54-VFBGA
- 供应商器件封装:54-VFBGA（6x8）
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