MT45W1MW16BABB-706 WT TR是美光科技推出的一款16Mb（1M x 16位）并行接口伪静态随机存储器（PSRAM）。该器件采用54-VFBGA表面贴装封装，核心工作电压为1.7V至1.95V，典型访问时间为70ns，适用于-30°C至85°C的工业温度范围。
其技术核心在于集成了DRAM存储单元与SRAM式接口，无需外部刷新电路即可实现简易的系统集成。该芯片主要面向需要扩展易失性存储空间，同时又追求设计简化、低功耗和成本优化的嵌入式应用，是传统SRAM与标准DRAM之间的有效替代方案。
- 型号:MT45W1MW16BABB-706 WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:54-VFBGA（6x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:PSRAM
- 技术:PSRAM（伪 SRAM）
- 存储容量:16Mb
- 存储器组织:1M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:54-VFBGA
- 供应商器件封装:54-VFBGA（6x9）
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