MT44K64M18RB-107E:A TR

MT44K64M18RB-107E:A TR是美光科技基于RLDRAM 3技术制造的1.125Gb并行DRAM。该器件采用64Mb x 18位的组织架构，旨在为高带宽应用提供确定性的低延迟性能。

其核心优势在于高达933MHz的运行频率和仅8ns的访问时间，配合1.28V~1.42V的工作电压，在实现高速数据吞吐的同时兼顾了能效。该芯片采用168-TBGA封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于表面贴装工艺，满足严苛环境下的可靠运行要求。

• 型号:MT44K64M18RB-107E:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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