MT44K32M18RB-107E:A

MT44K32M18RB-107E:A是美光科技生产的一款576Mb容量并行接口DRAM芯片。该器件采用32M x 18的存储结构，通过并联接口提供高速数据通道，其核心运行频率可达933MHz，并具备8ns的快速数据访问时间，能够满足对数据吞吐速率有严苛要求的应用。

芯片工作在1.28V至1.42V的低电压范围内，有助于实现更优的能效表现。其采用168-TBGA表面贴装封装，支持0°C至95°C（TC）的工作温度，确保了在多种嵌入式环境中的部署适应性和运行可靠性。这款器件适用于需要高带宽内存子系统的网络、工业控制及高端外设等领域。

• 型号:MT44K32M18RB-107E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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