MT44K16M36RB-107E:B TR是美光科技（Micron Technology）推出的一款576Mb容量、并行接口的DDR3L SDRAM芯片。其核心规格为16M x 36的组织结构，其中包含4位用于错误校验（ECC），旨在为数据密集型应用提供高可靠性的存储解决方案。
该器件在933MHz的时钟频率下运行，访问时间仅为8ns，能够实现高速数据存取。其工作电压符合1.28V至1.42V的DDR3L低电压标准，有效优化了系统功耗。芯片采用168-TBGA封装，支持表面贴装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于对性能和稳定性有严苛要求的商业及工业环境。
- 型号:MT44K16M36RB-107E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:168-BGA（13.5x13.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:16M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:8 ns
- 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:168-TBGA
- 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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