MT44K16M36RB-107E:A TR

MT44K16M36RB-107E:A TR是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM芯片。该器件采用16M x 36的组织结构，通过并联接口提供高带宽数据通路，其核心时钟频率达到933MHz，并具备8ns的快速访问时间，旨在满足对数据传输速率有严格要求的应用场景。

该芯片在1.28V至1.42V的低电压范围内工作，有助于实现系统级的能效优化。其0°C至95°C（TC）的宽工作温度范围和168-TBGA表面贴装封装，确保了在复杂环境下的可靠性和易于集成性。这些参数共同使其适用于需要高速、稳定数据缓冲和存储的各类电子系统。

• 型号:MT44K16M36RB-107E:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 想获取MT44K16M36RB-107E:A TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料