MT42L64M32D2HE-18 IT:D

MT42L64M32D2HE-18 IT:D是美光科技推出的一款2Gb容量、采用移动LPDDR2技术的并行接口SDRAM。该器件采用64M x 32位架构，在533MHz时钟频率下运行，支持高达1066MT/s的数据传输速率，并提供低至15ns的快速写周期时间，能够有效满足高性能嵌入式系统对内存带宽和响应速度的需求。

其核心优势在于高可靠性与低功耗的结合。作为通过AEC-Q100认证的汽车级产品，它支持-40°C至85°C的宽工作温度范围，确保在恶劣环境下的稳定运行。同时，1.14V至1.3V的低工作电压显著降低了系统功耗，配合紧凑的134-VFBGA封装，使其成为对空间、能效和可靠性均有严苛要求的汽车电子、工业控制及便携式设备的优选内存解决方案。

• 型号:MT42L64M32D2HE-18 IT:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-VFBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:64M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-VFBGA
• 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5）
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