MT41K512M8V80AWC1

MT41K512M8V80AWC1 是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用512M x 8位的并行接口架构。该器件基于低电压DDR3L技术，核心工作电压范围为1.283V至1.45V，相比标准DDR3产品能显著降低系统功耗，同时保持高速数据传输性能。

作为一款易失性DRAM存储器，它适用于需要大容量、高带宽工作内存的各类电子系统。其宽泛的工作温度范围（0°C至95°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行，主要面向嵌入式系统、网络设备、工业控制及高端消费电子等应用领域，为这些设备提供可靠的数据存储与交换解决方案。

• 型号:MT41K512M8V80AWC1
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:模具
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:模具
• 供应商器件封装:模具
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