MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用512M x 8位的并行架构。该器件核心优势在于其高带宽与低功耗的结合，运行时钟频率为800MHz（等效1600 MT/s），同时工作电压可低至1.283V，显著优化了系统的能效比。
该芯片提供13.75ns的快速访问时间，并支持包括温度补偿自刷新在内的高级电源管理功能，以在非活动状态最大限度节省能耗。其工业级宽温工作范围（-40°C至95°C）与78-TFBGA紧凑封装，使其能够可靠地集成于对空间、环境适应性和性能有严苛要求的各类嵌入式及网络应用中。
- 型号:MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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