MT41K512M8DA-125:P TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用78-TFBGA表面贴装封装。该器件以512M x 8的架构组织，通过并联接口提供高效的数据通道。
其核心优势在于低电压运行（1.283V~1.45V）与高速度（800MHz时钟，1600MT/s数据速率）的结合，在提供13.5ns快速访问时间的同时，显著降低了系统功耗。器件支持0°C至95°C的宽结温范围，确保了在多样化环境下的可靠性。
这款存储器适用于对性能、功耗和空间均有要求的嵌入式系统、网络设备及工业控制应用，是相关领域设计中经典的内存组件选择。
- 型号:MT41K512M8DA-125:P TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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