MT41K512M4HX-15E:D是美光科技推出的一款2Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用512M x 4的并行架构。该器件基于成熟的DDR3L低电压技术，核心工作电压低至1.283V-1.45V，在提供高性能的同时，有效降低了系统功耗与热耗散。
芯片支持高达667MHz的时钟频率，实现1333MT/s的数据传输速率，并具备13.5ns的快速访问时间。其78-TFBGA紧凑型封装和0°C至95°C的宽工作温度范围，使其能够适应表面贴装工艺要求，并满足工业级嵌入式应用对可靠性的严苛标准。
- 型号:MT41K512M4HX-15E:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:512M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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