MT41K512M16VRN-107 AIT:P

MT41K512M16VRN-107 AIT:P是美光科技推出的一款8Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用512M x 16位的组织架构。该器件核心优势在于其汽车级（AEC-Q100）认证与低电压（1.283V~1.45V）设计，确保了在-40°C至95°C的宽温度范围内具备高可靠性与优异的能效表现。

其性能参数突出，支持高达933MHz的时钟频率（等效1866 MT/s数据速率），并提供15ns的写周期时间与20ns的访问时间，能够满足高速数据处理对内存带宽和响应速度的要求。采用96-TFBGA封装，适用于空间紧凑、对可靠性要求极高的汽车电子及工业应用场景。

• 制造商产品型号：MT41K512M16VRN-107 AIT:P
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR3L
• 存储容量：8Gb（512M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：933MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：20ns
• 电压-供电：1.283V ~ 1.45V
• 工作温度：-40°C ~ 95°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：96-TFBGA
• 想获取MT41K512M16VRN-107 AIT:P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料